仪器型号：FS380-S8

生产厂家：深圳市矢量科学仪器有限公司

主要规格和技术参数：

1、样品架系统

*标准的样品盘可以容纳4个32 mm x 32 mm的蒸镀基片（或其他尺寸）。

*掩膜板到基片的距离小于0.2mm.

2、蒸发沉积系统

蒸发源

*有8热阻蒸发源，用于材料蒸发。有机、金属通用，距基片大约35cm。

*蒸镀速率可精确到0.1A，实现蒸镀速率0.01 A/S的精度显示。

膜厚控制

*采用INFICON SQC-310C膜厚仪，膜厚精度误差在正负0.01A/S，可显示4个膜厚探头的读数。

*@可蒸金属：以铝为标准。蒸镀速率：以铝为标准：0.5-10A/s稳定可控，蒸镀速率波动≤±0.1A/S。

@基片厚度均匀性：±5%,测试方法：多点测量：（最大值-最小值）/（最大值+最小值）,单片尺寸：不大于100*100mm。

@有机物：以NPB或Alq3为标准： 蒸镀速率0.5-10A/s稳定可控，蒸镀速率波动≤±0.1A/S。

@基片厚度均匀性：±5%,测试方法：多点测量：（最大值-最小值）/（最大值+最小值）,单片尺寸：不大于100*100mm。

掩膜版系统：掩模板图案尺寸±0.05mm。

主要功能及特色：

有机半导体薄膜系通用于有机和无机材料的薄膜制备，8组蒸发源，可兼容蒸镀金属和有机材料，能够同时蒸镀4个器件，并且1轮蒸镀（1个run）可实现4种不同器件结构的制备。该设备可以安装4个32 mm*32 mm的基片托盘，通过箱体外的控制，能够在真空状态下更换掩膜板，并且蒸镀图案可更改。大大降低了制备难度，提升了器件制备效率。

预约网址：http://202.113.64.51/genee/