天津理工大学功能晶体研究院，高级工程师。2008年本科毕业于河北科技大学，2013年于吉林大学材料物理与化学获得工学博士学位；2013-2021年于中国电子科技集团公司第四十六研究所新型半导体材料研发中心任高级工程师，天津市“131”创新型人才第二层次人选；2021年调职入天津理工大学功能晶体研究院。

主要从事宽禁带半导体单晶材料的生长技术工艺开发与研究（主要有HVPE，MPCVD，PVT，助熔剂法等），宽禁带半导体单晶块材缺陷诱发与应用研究。

主持科研项目  

1.     HVPE法生长Ⅲ族氮化物稀磁材料及其磁性来源研究，天津市自然科学基金，2015/04-2018/03，6万元，主持

2.     XX金刚石单晶材料研究，2019/01-2019/12，100万元，主持

代表论文、专利

1. Jianli Chen*, Morphological and   structural evolution on the lateral face of thediamond seed by MPCVD   homoepitaxial deposition, Journal of Crystal Growth 484:1–6 (2018).

2. 徐永宽，陈建丽，MPCVD侧面扩展生长单晶金刚石形貌及光谱，半导体技术43(9): 676-701 (2018).

3. Jianli Chen*, Fabrication of GaN microporous structure at a GaN/sapphire   interface as the template for thick-film GaN separation grown by HVPE, Journal of Electronic Materials,   45:4782-4789 (2016).

4. 陈建丽*，MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述，炭素技术 34:11-16 (2015).

5. Lei Jin, Hongjuan Cheng,Jianli   Chen, Song Zhang, Yongkuan Xu, Zhanping Lai, Controlling   morphology evolution of AlN nanostructures: influence of growth conditions in   physical vapor transport. Journal of Semiconductors 39(7): 073001 (2018).

6. 张皓, 张政, 孙科伟, 陈建丽, 孟大磊, 郭森, 窦瑛, SiC单晶体放射状裂纹缺陷研究, 半导体技术, 45(06): 479-483 (2020).

7. 宋修曦, 马志斌, 丁康俊, 陈建丽, 耿鹏，晶面取向对同质外延单晶金刚石生长的影响, 真空科学与技术学报, 37(02): 201-205 (2017).

8. 一种GaN XXX的方法及装置，发明国防，已授权，排名：1

9. 一种CVD法合成单晶金刚石降低位错密度的方法，专利号： CN201710575789.7.排名：1

奖励与荣誉